Санкт-Петербург ул. Чугунная, 36 м. Выборгская
    ×
    SSD накопитель PATRIOT VP4100 1TB M.2 2280 (VP4100-1TBM28H) - фото 1
    SSD накопитель PATRIOT VP4100 1TB M.2 2280 (VP4100-1TBM28H) - фото 2
    SSD накопитель PATRIOT VP4100 1TB M.2 2280 (VP4100-1TBM28H) - фото 3

    SSD накопитель PATRIOT VP4100 1TB M.2 2280 (VP4100-1TBM28H)

    Артикул 2123261
    Описание SSD-накопитель Patriot Memory VP4100 1 Тб (VP4100-1TBM28H) обеспечит продуктивную работу устройства в режиме многозадачности. Форм-фактор 2280 M.2 PCIe Gen4×4 позволяет достичь сокращения времени загрузки и мгновенного доступа к данным. Это делает его подходящим для интенсивных игровых сессий и рабочих нагрузок. Внешний динамический термодатчик предоставляет точную информацию о температуре, что позволяет поддерживать высокую производительность даже при больших нагрузках.Пользователи могут легко установить VP4100 благодаря его низкопрофильному дизайну. Этот SSD-накопитель имеет 1 Тб памяти типа 3D TLC и подходит для игровых систем и высокопроизводительных рабочих станций. Максимальная скорость чтения достигает 4 200 Мб/с, записи — 4 700 Мб/с. Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.
    Читать далее
    Коротко о товаре
    Минпромторг
    Модель товараVP4100
    Код производителяVP4100-1TBM28H
    Цветчёрный
    Гарантийный срок60 мсц
    Объем памяти1 ТБ
    ТипSSD накопитель
    Потребляемая мощность2 вт
    ИнтерфейсPCI-E
    Форм-факторM.2
    МодельVP4100
    Объем буфера1024 mb
    Тип памятиTLC
    Страна происхожденияКитай
    Максимальная скорость записи4400 МБ/с
    Максимальная скорость чтения5000 МБ/с
    Максимальная скорость случайного чтения, IOPS800000
    Максимальная скорость случайной записи, IOPS800000
    Ресурс работы (TBW)1800 ТБ
    Наработка на отказ1800000
    Длина, мм80
    Ширина, мм22
    Вес, г25
    Толщина, мм8
    КонтроллерPhison E16
    DRAM буферда
    Поддержка NVMeда
    Подлежит обязательной сертификациинет
    Все характеристики
    31 305.40 ₽
    4.9 (92 отзывов)
    В корзину В корзине В избранное
    Нет в наличии
    50 ШТ. в упаковке
    Условия оплаты

    С этим товаром покупают

    9 459.62 ₽
    В наличии
    Дырокол мощный Attache до 150 листов
    Артикул 374716
    Описание
    SSD-накопитель Patriot Memory VP4100 1 Тб (VP4100-1TBM28H) обеспечит продуктивную работу устройства в режиме многозадачности. Форм-фактор 2280 M.2 PCIe Gen4×4 позволяет достичь сокращения времени загрузки и мгновенного доступа к данным. Это делает его подходящим для интенсивных игровых сессий и рабочих нагрузок. Внешний динамический термодатчик предоставляет точную информацию о температуре, что позволяет поддерживать высокую производительность даже при больших нагрузках.Пользователи могут легко установить VP4100 благодаря его низкопрофильному дизайну. Этот SSD-накопитель имеет 1 Тб памяти типа 3D TLC и подходит для игровых систем и высокопроизводительных рабочих станций. Максимальная скорость чтения достигает 4 200 Мб/с, записи — 4 700 Мб/с. Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.
    Оплата
  • Юридические лица оплачивают безналичными и наличными средствами, согласно выставленным счетам. Все цены включают НДС.
  • Физические лица оплачивают наличными средствами сотруднику службы доставки. При самовывозе заказа к оплате принимаются банковские карты.
  • Доставка
  • В пределах Зеленой зоны: 1 500 ₽ - 2 500 ₽ – стоимость доставки 300 ₽; От 2 500 ₽ – доставка БЕСПЛАТНО
  • В пределах Синей зоны: 2 500 ₽ - 9 000 ₽ – стоимость доставки 600 ₽; От 9 000 ₽ – доставка БЕСПЛАТНО
  • Доставка за пределы Синей зоны возможна при заказе не менее чем на 9 000 ₽ и оговаривается отдельно.
  • Самостоятельно... Подробнее
  • Характеристики
    Минпромторг
    Модель товараVP4100
    Код производителяVP4100-1TBM28H
    Цветчёрный
    Гарантийный срок60 мсц
    Объем памяти1 ТБ
    ТипSSD накопитель
    Потребляемая мощность2 вт
    ИнтерфейсPCI-E
    Форм-факторM.2
    МодельVP4100
    Объем буфера1024 mb
    Тип памятиTLC
    Страна происхожденияКитай
    Максимальная скорость записи4400 МБ/с
    Максимальная скорость чтения5000 МБ/с
    Максимальная скорость случайного чтения, IOPS800000
    Максимальная скорость случайной записи, IOPS800000
    Ресурс работы (TBW)1800 ТБ
    Наработка на отказ1800000
    Длина, мм80
    Ширина, мм22
    Вес, г25
    Толщина, мм8
    КонтроллерPhison E16
    DRAM буферда
    Поддержка NVMeда
    Подлежит обязательной сертификациинет